居高不下的制造成本令Micro LED遲遲無法商用化,原因在于關(guān)鍵的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)瓶頸仍待突破。LEDinside指出,預(yù)計(jì)2018年“類Micro LED”顯示與投影模塊產(chǎn)品將率先問世,待巨量轉(zhuǎn)移制程穩(wěn)定后再朝向Micro LED規(guī)格產(chǎn)品邁進(jìn)。 LEDinside研究副理?xiàng)罡粚毐硎?,Micro LED制程目前面臨相當(dāng)多的技術(shù)挑戰(zhàn),在四大關(guān)鍵技術(shù)中,轉(zhuǎn)移技術(shù)是最困難關(guān)鍵制程,必須突破的瓶頸包括設(shè)備的精密度、轉(zhuǎn)移良率、轉(zhuǎn)移時(shí)間、制程技術(shù)、檢測方式、可重工性及加工成本。由于涉及的產(chǎn)業(yè)橫跨LED、半導(dǎo)體、面板上下游供應(yīng)鏈,舉凡芯片、機(jī)臺(tái)、材料、檢測設(shè)備等都與過去的規(guī)格相異,使得技術(shù)門坎提高,而異業(yè)間的溝通整合也拉長研發(fā)時(shí)程。 LEDinside以工業(yè)制程六個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差評估Micro LED量產(chǎn)可行性,轉(zhuǎn)移制程良率須達(dá)到四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差等級,才有機(jī)會(huì)商品化,但加工及維修成本仍然很高。若要做出成熟的商品化產(chǎn)品,并達(dá)成具有競爭力的加工成本,其轉(zhuǎn)移良率至少要達(dá)到五個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差以上。 盡管巨量轉(zhuǎn)移仍待技術(shù)突破,LEDinside指出,目前全球已有多家廠商投入轉(zhuǎn)移技術(shù)的研發(fā),如LuxVue、eLux、VueReal、X-Celeprint、法國研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti、Sony及沖電氣工業(yè)(OKI);臺(tái)灣則有镎創(chuàng)、工研院、Mikro
Mesa及臺(tái)積電。但廠商在選擇轉(zhuǎn)移技術(shù)時(shí)會(huì)依不同應(yīng)用產(chǎn)品而定,并考慮設(shè)備投資、每小時(shí)產(chǎn)出量(UPH)及加工成本等因素,而各廠商的制程能力及良率控制,也是影響產(chǎn)品開發(fā)的關(guān)鍵。 以現(xiàn)有的發(fā)展?fàn)顩r看來,LEDinside認(rèn)為室內(nèi)顯示屏、智能手表和智能手環(huán)將會(huì)是首先應(yīng)用Micro
LED的產(chǎn)品。由于轉(zhuǎn)移技術(shù)的難度甚高,各應(yīng)用產(chǎn)品所需求的像素多寡不同,投入的廠商多半先以既有的外延焊接設(shè)備(Wafer
Bonding)來做研發(fā),或選擇像素?cái)?shù)量較少的應(yīng)用產(chǎn)品為目標(biāo),以縮短開發(fā)時(shí)間。也有廠商直接轉(zhuǎn)向研發(fā)薄膜轉(zhuǎn)移(Thin Film
Transfer)技術(shù),但因設(shè)備須另外設(shè)計(jì)及調(diào)整,必須投入更多資源與時(shí)間,可能產(chǎn)生更多制程問題。
目前全球廠商積極布局轉(zhuǎn)移制程,但考慮每小時(shí)產(chǎn)出量(UPH)、良率及晶粒大?。ǎ?00?m)尚無法達(dá)到商品化的水平,廠家紛紛尋求晶粒大小約150?m的“類Micro LED”解決方案。
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